蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件

• 作者: 刘健 刘新宇 吴德馨 和致经 邵刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共栅共源 宽带 AlGaN/GaN HEMTs 蓝宝石
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1567-1572
• 页数: 6页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 1633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.004

摘要

报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制功率增益.与共源器件相比,共栅共源器件表现出稍低的 f T、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	刘健	中国科学院微电子研究所	117	2097	25.0	41.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
5	邵刚	中国科学院微电子研究所	5	46	3.0	5.0