AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析

• 作者: 刘新宇 刘果果 和致经 郑英奎 魏珂
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 器件布局 寄生参数 空气桥
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1769-1771,1775
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.016

摘要

比较了空气桥跨细栅和空气桥跨栅总线两种源连接结构的1 mm AlGaN/GaN HEMTs器件的特性,对两种结构的管芯进行了等效电路参数提取.测试了两种布局方式下的不同源场板结构器件的射频以及功率性能,比较分析表明,空气桥跨细栅的源连接方式由于有效地降低了栅漏电容以及栅源电容,比空气桥跨栅总线源连接的器件能取得更好的频率特性以及功率特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
3	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
4	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
5	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0