AlGaN/GaN共栅共源HEMTs器件

• 作者: 刘新宇 刘键 和致经 邵刚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 共栅共源 AlGaN/GaN HEMTs 微波 功率增益
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 385-388
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.03.003

摘要

研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的特性.该器件包括栅长0.8 μm共源器件与栅长1 μm的共栅器件.研究表明,共栅共源器件的第二栅压对的器件饱和电流与跨导有明显的调制作用,容易实现功率增益控制.与共源器件相比,共栅共源器件在微波特性上fT大约9 GHz,比共源器件稍小,但是具有较低的反馈,显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗,与共源器件相比,稳定性更好,可以避免振荡的产生,结合GaN的高功率特性GaN共栅共源器件非常适合微波频段宽频大功率领域的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	邵刚	中国科学院微电子研究所	5	46	3.0	5.0