湿法腐蚀制备 GaN LED 蓝宝石图形衬底的工艺方法研究

• 作者: 何志毅 徐文俊 李思敏 李海鸥 李琦 翟江辉
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 蓝宝石图形衬底 湿法腐蚀 腐蚀速率 GaN L ED
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: TN205
• 语种: 中文

摘要

近几年来，蓝宝石图形衬底（PSS）制备工艺技术已成为国内外研究GaN基发光二极管（LED）的热点问题。该技术不仅能够降低GaN外延缺陷和位错密度，还能够有效提高LED的光提取效率。为了获得均匀性好的PSS及操作简便、成本较低的制备方法，采用湿法腐蚀方式研制C面蓝宝石图形衬底；利用自主设计的高温腐蚀系统，在硫酸和磷酸配比为3：1，加热280℃的条件下，腐蚀40分钟得到深度大于2μm的规整图形结构，具有极高的图形占空比；分析了时间、温度、腐蚀深度等因素与腐蚀速率的关系，对PSS结构设计和实现具有参考意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李思敏	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	106	613	13.0	16.0
2	何志毅	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	45	132	6.0	8.0
3	李琦	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	30	53	4.0	5.0
4	李海鸥	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	28	36	2.0	5.0
5	翟江辉	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	23	84	4.0	8.0
6	徐文俊	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	1	4	1.0	1.0