蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究

• 作者: 于乃森 周均铭 彭铭征 朱学亮 王晶 贾海强 郭丽伟 陈弘
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 金属有机化学气相沉积 微区拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.004

摘要

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力.采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量.另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度.研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度.