绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料

• 作者: 何泽召 冯志红 刘庆彬 周闯杰 王晶晶 蔚翠 郭建超
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 石墨烯 绝缘衬底 化学气相沉积 表面 形态学 电学特性
• 年，卷（期）: 2017,（z1）
• 所属期刊栏目: 材料化学工程与纳米技术
• 页码范围: 276-281
• 页数: 6页
• 分类号: O782+.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.11949/j.issn.0438-1157.20170348

摘要

利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性.原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si3N4覆盖层可以有效抑制3C-SiC缓冲层的形成;低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量.5.08 cm蓝宝石衬底上石墨烯材料,室温下非接触Hall测试迁移超过1000 cm2·V-1·s-1,方块电阻不均匀性为2.6%.相对于Si衬底和蓝宝石衬底,SiC衬底上生长石墨烯材料的表面形态学更好,缺陷更低,晶体质量和电学特性更好,迁移率最高为4900 cm2·V-1·s-1.