光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征

• 作者: 于璨璨 孙丽 张福生 徐现刚 赵显 陈秀芳
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 石墨烯 合成 碳化硅 缓冲层 电化学 光化学
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 表面与界面工程
• 页码范围: 4356-4362
• 页数: 7页
• 分类号: O649.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.11949/j.issn.0438-1157.20160583

摘要

高温条件下裂解碳化硅（SiC）单晶，在直径5 cm的4H-SiC（0001）面制备出单层石墨烯。利用光电化学刻蚀方法，使KOH刻蚀液与SiC发生反应，降低石墨烯与衬底之间的相互作用力，去掉原位生长过程中SiC衬底与石墨烯之间存在的缓冲层，获得准自由的双层石墨烯。首先通过对比不同的电流密度和光照强度，总结出电流密度为6 mA·cm?2、紫外灯与样品间距为3 cm时，石墨烯缓冲层的去除效率以及石墨烯质量皆为最佳。采用此优化后工艺处理的样品，拉曼光谱表明原位生长的缓冲层与衬底脱离，表现出准自由石墨烯的特性。X射线光电子能谱（XPS）C1s谱图中代表上层石墨烯与衬底Si悬键结合的S1、S2特征峰消失，即石墨烯缓冲层消失。通过分析刻蚀过程中的电化学曲线，提出了刻蚀过程的化学反应过程中的动态特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
2	孙丽	山东大学晶体材料国家重点实验室	22	95	6.0	9.0
3	赵显	山东大学晶体材料国家重点实验室	31	87	5.0	8.0
4	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0
5	张福生	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	于璨璨	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0