低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

• 作者: 丁古巧 吴天如 孙雷 朱云 李金泽 沈鸿烈 谢晓明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 Cu-In合金 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 2589-2594
• 页数: 6页
• 分类号: TQ127.1
• 字数: 3160字
• 语种: 中文

摘要

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果.用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征.结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,“表面催化”型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;“溶解析出”型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨“块”;金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱.