化学气相沉积法生长石墨烯的研究

• 作者: 史学芳 史永贵 张进成 张鹏 王东 郝跃
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 化学气相沉积 表面粗糙度 生长温度 冷却速率
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 1620-1625
• 页数: 6页
• 分类号: T304.9
• 字数: 4773字
• 语种: 中文

摘要

以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响.研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长.而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度.因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要.而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃		312	1866	17.0	25.0
2	张鹏	西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室	61	245	8.0	11.0
3	王东	西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室	16	179	7.0	13.0
4	张进成	西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室	19	65	5.0	7.0
5	史学芳	西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室	8	25	2.0	4.0
6	史永贵	西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室	2	16	2.0	2.0