石墨烯薄膜的生长及结构表征研究

• 作者: 刘志涛 王晓敏 王永祯 王菡 蔡晓岚
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: 石墨烯 常压 化学气相沉积 结构表征
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 317-320
• 页数: 4页
• 分类号: TQ127.1
• 语种: 中文

摘要

在常压条件下,以铜箔为基底、CH4为碳源,通过化学气相沉积法(CVD)生长出了石墨烯薄膜.利用拉曼光谱、扫描电子显微镜、四探针电导率仪表征分析了产物.结果表明:生长温度为1 000℃,H2流量为60 mL/min,CH4流量为2.5 mL/min,Ar流量为80 mL/min时,在基底表面生长出了连续分布的石墨烯薄膜,且大部分区域为单层,同时结晶程度高缺陷小；转移后的石墨烯薄膜面积大、透光性良好,兼具有良好的导电性,其薄层电阻为1 822 Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓敏	太原理工大学材料科学与工程学院	59	386	11.0	17.0
2	王永祯	太原理工大学材料科学与工程学院	27	182	7.0	12.0
3	蔡晓岚	太原理工大学材料科学与工程学院	6	55	4.0	6.0
4	刘志涛	太原理工大学材料科学与工程学院	2	14	2.0	2.0
5	王菡	太原理工大学材料科学与工程学院	3	6	2.0	2.0