铜尖表面石墨烯原位生长工艺及其场发射特性

• 作者: 刘卫华 李昕 王小力 田康 魏仙琪
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 石墨烯 化学气相淀积 场发射
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201508002

摘要

针对非高熔点金属针尖在场发射中表面原子易升华的问题,通过在亚微米量级的铜尖表面原位生长石墨烯来抑制铜原子升华,以提高其场发射稳定性能.首先利用三氯化铁溶液将铜丝进行腐蚀,得到亚微米量级别的高曲率铜尖,然后通过化学气相沉积法在高曲率的铜尖表面原位生长获得了石墨烯,得到了一种新的冷阴极结构——铜尖/石墨烯结构.对覆盖石墨烯前后的铜尖进行场发射测试,结果发现,石墨烯的存在使铜尖的开启场强从4 V/μm降低到2.5 V/μm,并且提高了发射电流的稳定性.该研究结果对于在亚微米尺度铜表面生长石墨烯以及利用石墨烯改善金属针尖的场发射特性均有参考价值,为非高熔点金属制作场发射尖端提供了一种可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小力	西安交通大学电子与信息工程学院	59	320	11.0	16.0
2	刘卫华	西安交通大学电子与信息工程学院	33	304	9.0	16.0
3	李昕	西安交通大学电子与信息工程学院	36	213	7.0	13.0
4	田康	西安交通大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
5	魏仙琪	西安交通大学电子与信息工程学院	1	1	1.0	1.0