蓝宝石上横向外延GaN薄膜

• 作者: 冯玉春 刘彩池 张帷 景微娜 郝秋艳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 横向外延 金属有机物气相外延 (0001)蓝宝石衬底
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.007

摘要

在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
3	张帷	河北工业大学信息功能材料研究所	4	32	3.0	4.0
7	景微娜	河北工业大学信息功能材料研究所	1	0	0.0	0.0