MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜

• 作者: 冯玉春 彭冬生 牛憨笨
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 MOCVD 综述 横向外延过生长 GaN 薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.02.020

摘要

介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理.综述了该技术的发展历程以及最新进展.新型的横向外延过生长技术大大简化了生长工艺以及降低了晶向倾斜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉春	深圳大学光电工程学院	19	103	7.0	9.0
2	牛憨笨	深圳大学光电工程学院	71	772	13.0	25.0
3	彭冬生	深圳大学光电工程学院	11	47	4.0	6.0