侧向外延生长GaN的结构特性

• 作者: KUAN T S 修向前 卢殿清 张荣 施毅 沈波 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 侧向外延生长 氢化汽相外延
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.013

摘要

研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面的ELO GaN薄膜.采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELO GaN材料的结构和表面形貌.原子力显微镜图像表明:在ELO范围中的4μm2面积上不存在明显的阶状形貌.透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低.在接合的界面上没观察到有空隙存在.但观测到晶格的弯曲高达3.3°,这被归因为由GaN层下的"籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	修向前	南京大学物理系	28	97	5.0	9.0
6	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
7	卢殿清	南京大学物理系	1	1	1.0	1.0