Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究

• 作者: 张荣 施毅 朱健民 李卫平 汪峰 沈波 郑有抖 陈志忠 顾书林
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 微结构和光学性质 HVPE横向外延GaN Si(III)衬底
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2002.03.011

摘要

用氢化物气相外延(HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料.透射电子显微镜(TEM)的研究结果表明,横向外延区域GaN的位错密度明显减小.由于SiO2掩膜腐蚀角的不同(分别为90°和66°),导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌.微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成,每一条曲线有三个振动模,分别对应Si振动模式(520cm-1),E2模式(566cm-1)和E1(LO)模式(732cm-1).在垂直条纹方向,峰位和峰宽没有明显的变化,而峰强约5μm会发生周期性变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健民	南京大学物理系	24	48	4.0	6.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
6	李卫平	南京大学物理系	3	1	1.0	1.0
7	陈志忠	南京大学物理系	3	1	1.0	1.0
8	汪峰	南京大学物理系	4	19	2.0	4.0
9	郑有抖	南京大学物理系	1	1	1.0	1.0