H2气氛对采用MOCVD 法在Si 衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响?

• 作者: 李国强 杨美娟 林云昊 林志霆 王文樑
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: Si衬底 AlN薄膜 H2 MOCVD
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 10-15
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在 Si(111)衬底上外延生长 AlN 薄膜,用高分辨 X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得 AlN 薄膜的性能进行表征,并研究了适量H2的引入对 AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明：在 Si衬底上外延生长 AlN薄膜过程中引入适量 H2,有利于提高 AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0 nm 减少至2.1 nm；适量 H2的引入可使 AlN 薄膜的(0002)和(10-12)面的 X 射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7°及1.1°分别减小到0.6°和0.9°,即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国强	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	22	104	4.0	9.0
5	王文樑	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	6	6	2.0	2.0
6	林云昊	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
7	林志霆	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	4	21	2.0	4.0
8	杨美娟	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0