温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响

• 作者: 张吉英 杨宝均 申德振 羊亿 范希武 赵晓薇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS外延膜 Si衬底 低压MOCVD
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.002

摘要

用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变Ⅱ/Ⅵ流量比)在300～400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜.随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获得结晶完整性较好的(111)ZnS单晶薄膜.文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响.