衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响

• 作者: 刘忠良 刘金锋 徐彭寿 武煜宇 汤洪高
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅薄膜 硅衬底 固源分子束外延 衬底温度
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 720-724
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 4402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.030

摘要

利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3G-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	刘忠良	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	17	101	6.0	9.0
3	刘金锋	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	12	71	5.0	8.0
4	汤洪高	中国科学技术大学材料系	20	254	8.0	15.0
5	武煜宇	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	5	17	3.0	4.0