SOI衬底对3C-SiC异质外延薄膜内残存应力的影响

• 作者: 孙国胜 曾一平 李海鸥 段晓峰 王晓峰 王雷 赵万顺 黄风义
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 喇曼 应力释放 力平衡原理 重合位置点阵模型
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1681-1687
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.001

摘要

在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜.Raman测试结果表明,SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低.采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的应力释放现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓峰	中国科学院半导体研究所	57	953	14.0	30.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
6	段晓峰	中国科学院物理研究所	26	221	5.0	14.0
7	李海鸥	中国科学院物理研究所	6	22	3.0	4.0
8	黄风义	中国科学院半导体研究所	2	3	1.0	1.0