硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术

• 作者: 朱作云 李跃进 杨银堂 贾护军
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 缓冲层 化学气相淀积 外延生长
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 80-82,87
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.0
• 字数: 2418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2000.01.019

摘要

用常压化学气相淀积法在(100)Si衬底上异质外延生长了3C-SiC薄膜.为减小3C-SiC与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓冲层的最佳条件.用X-射线衍射、俄歇电子能谱、扫描电镜对薄膜的特性进行了分析.测量结果表明,1 300℃下在Si衬底缓冲层上可以获得3C-SiC单晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子所	25	131	7.0	10.0
3	朱作云	西安电子科技大学微电子所	13	98	6.0	9.0
4	李跃进	西安电子科技大学微电子所	70	432	11.0	17.0