Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除

• 作者: 张义门 张玉明 王悦湖 陈达
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 3C-SiC 碳化 异质外延 生长 Si衬底
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 134-137
• 分类号: O484
• 字数: 2600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.01.025

摘要

利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理.通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200 ℃,生长速度为4 μm/h.对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶仪分析表明外延层弯曲度仅为5μm/45 mm;而外延层的XRD和AFM分析表明,3 μm厚度外延层SiC(111)半高宽为0.15°,表面粗糙度为15.4nm,表明外延层结晶质量良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院	126	777	15.0	20.0
3	陈达	西安电子科技大学微电子学院	2	4	1.0	2.0
4	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院	10	20	2.0	4.0