Si(111) 衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长

• 作者: 严飞 孙澜 朱顺明 李雪飞 郑有炓 陈平 韩平 顾书林
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 异质外延生长 低压化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 65-66,11
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2002.11.014

摘要

研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的3C-SiC薄膜材料.采用俄歇能谱(AES)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌.AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比,XRD结果显示了3C-SiC外延薄膜的良好晶体结构, AFM揭示了3C-SiC薄膜的良好的表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
2	朱顺明	南京大学物理系	20	72	5.0	7.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	陈平	南京大学物理系	30	185	8.0	12.0
5	孙澜	南京大学物理系	2	8	1.0	2.0
6	韩平	南京大学物理系	22	92	6.0	9.0
7	李雪飞	南京大学物理系	4	23	1.0	4.0
8	严飞	南京大学物理系	1	1	1.0	1.0