MEMS用Si台面及SiO2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长

• 作者: 刘兴昉 孙国胜 巩全成 曾一平 李晋闽 王雷 高欣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC LPCVD生长 Si台面 SiO2/Si
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 982-985,976
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.005

摘要

本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
4	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
5	高欣	中国科学院半导体研究所	46	202	9.0	12.0
6	巩全成	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
7	刘兴昉	中国科学院半导体研究所	8	28	2.0	5.0