表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

• 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅薄膜 常压化学气相淀积 表面预处理 硅化 碳化
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 510-513,509
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.018

摘要

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散.选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时,可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0～2.5nm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	70	432	11.0	17.0
4	柴常春	西安电子科技大学教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	80	592	15.0	19.0