Si(100)衬底上高质量3C-SiC的改良外延生长

• 作者: 孙国胜 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王雷 罗木昌 赵万顺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CVD/LPCVD 异质外延生长 3C-SiC
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 800-804
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.003

摘要

介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)衬底上获得了高质量的3C-SiC外延材料.用X射线衍射和Raman散射技术研究了3C-SiC外延膜的结晶质量,在80～300K的温度范围内利用Van der Pauw方法对1～3μm厚的外延膜的电学特性进行了测试,室温Hall迁移率最高达到470cm2/(V*s),载流子浓度为7.7×1017cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	林兰英	中国科学院半导体研究所	33	145	7.0	10.0
4	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
5	罗木昌	中国科学院半导体研究所	9	42	4.0	6.0
6	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
7	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
8	孙殿照	中国科学院半导体研究所	10	98	5.0	9.0