碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响

• 作者: 刘学超 周仁伟 施尔畏 杨建华 石彪 郑燕青
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 3C-SiC 碳化 结晶质量 缓冲层
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 856-859,868
• 页数: 5页
• 分类号: O77
• 字数: 2298字
• 语种: 中文

摘要

本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的“缓冲层”上生长了3C-SiC薄膜.结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现“镶嵌”结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞.碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势.当在1200℃下制备的“缓冲层”上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建华	中国科学院上海硅酸盐研究所	41	367	10.0	18.0
2	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
3	郑燕青	中国科学院上海硅酸盐研究所	30	1071	15.0	30.0
4	刘学超	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	94	4.0	9.0
5	石彪	中国科学院上海硅酸盐研究所	14	60	5.0	7.0
9	周仁伟	中国科学院上海硅酸盐研究所	1	2	1.0	1.0