碳化硅晶须对C/C复合材料表面SiC涂层的影响

• 作者: 廖寄乔 张翔 李丙菊 李军 褚胜林 谭周建
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 碳化硅晶须 C/C复合材料 SiC涂层 力学性能
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 664-668
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文

摘要

以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响.结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变；同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低.