中密度C/C复合材料表面制备SiCnw/SiC涂层

• 作者: 凌继容 刘学文 廖寄乔 李丙菊 李军 褚胜林 谭周建
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 碳化硅纳米晶须 C/C复合材料 SiCw/SiC涂层 化学气相沉积(CVD)
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 725-731
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文

摘要

在中密度 C/C 复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1 200℃的氧化防护能力.另外,在1 500℃的空气中氧化10 h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖寄乔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	28	205	8.0	13.0
3	谭周建	中南大学粉末冶金国家重点实验室	6	25	4.0	4.0
4	李军		2	7	1.0	2.0
7	褚胜林	中南大学粉末冶金国家重点实验室	4	9	2.0	2.0
8	凌继容	中南大学粉末冶金国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
9	李丙菊		1	1	1.0	1.0
10	刘学文		1	1	1.0	1.0