包埋法制备SiC涂层C/C复合材料及真空热处理对涂层的影响

• 作者: 张武装 曾毅 熊翔
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 真空热处理 C/C复合材料 包埋法 SiC涂层
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 231-236
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2011.02.013

摘要

采用Si、C及Al2O3粉末为原料,利用包埋法结合真空热处理在C/C复合材料表面制备SiC涂层.并利用XRD、SEM等测试手段分析真空热处理对涂层C/C复合材料的组织结构和力学性能的影响.研究结果表明:包埋粉料中Si含量为84.5%和87.0%(质量分数)时,所制备的SiC过渡层由β-SiC、α-SiC和Si三相组成.真空热处理可以降低SiC涂层中游离Si的含量,使SiC过渡层形成多孔结构,进而改善SiC涂层C/C复合材料的韧性,获得的涂层最大载荷处挠度可提高6.93%.真空热处理后,C/C复合材料SiC涂层的断裂形式为剪切断裂和纤维拔出断裂的混合形式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊翔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	345	3793	27.0	39.0
2	曾毅	中南大学粉末冶金国家重点实验室	33	204	8.0	13.0
3	张武装	中南大学粉末冶金国家重点实验室	34	352	12.0	17.0