SiC晶须的原位生长及其在C/C复合材料抗氧化涂层中的应用

• 作者: 廖寄乔 张翔 李军 谭周建
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 碳化硅晶须 长径比 CNT-SiCw 复合涂层 CVD
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 277-282
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2010.03.015

摘要

以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须(SiCw),制备CNT-SiCw抗氧化涂层,并在1100℃、空气中对该氧化涂层进行10h抗氧化实验,研究SiCw的制备工艺以及SiCw在C/C复合材料抗氧化涂层中的作用.结果表明:制备碳化硅晶须的最佳工艺为:温度1100℃、常压、载气和稀释气体流量均为100mL/min.在此工艺下,沉积时间为15min时,能制备出高长径比、平均直径约100nm的碳化硅晶须.有CNT-SiCw涂层C/C复合材料试样在空气中氧化后的质量损失率仅0.7%,没有涂层的试样的质量损失率约为15%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李军	中南大学粉末冶金国家重点实验室	169	978	16.0	24.0
2	张翔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	16	98	6.0	9.0
3	廖寄乔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	28	205	8.0	13.0
4	谭周建	中南大学粉末冶金国家重点实验室	6	25	4.0	4.0