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C/SiC复合材料在1700℃下氧化机制研究
C/SiC复合材料在1700℃下氧化机制研究
作者:
杨晓辉
王毅
王芙愿
白龙腾
原文服务方:
火箭推进
C/SiC复合材料
高温氧化
扩散控制
氧化膜
摘要:
以沉积SiC涂层的C/SiC复合材料为研究对象,利用扫描电镜对复合材料表面进行观察分析,研究了复合材料在1700℃下空氧环境中显微结构和成分演变.结果表明在1700℃下,复合材料的氧化过程主要受到氧气在氧化膜中的扩散控制.C相在氧化过程中以气体的形式消耗殆尽,SiC相氧化形成氧化膜,覆盖在试样表面.由于SiC相氧化过程中伴随气体副产物的释放,在氧化膜中形成大量裂纹.这些裂纹的存在进一步加剧了复合材料的氧化损伤.
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文献信息
篇名
C/SiC复合材料在1700℃下氧化机制研究
来源期刊
火箭推进
学科
关键词
C/SiC复合材料
高温氧化
扩散控制
氧化膜
年,卷(期)
2017,(6)
所属期刊栏目
工艺与材料
研究方向
页码范围
82-87
页数
6页
分类号
V250-34
字数
语种
中文
DOI
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作者信息
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姓名
单位
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王毅
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杨晓辉
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王芙愿
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白龙腾
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C/SiC复合材料
高温氧化
扩散控制
氧化膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
火箭推进
主办单位:
航天推进技术研究院
出版周期:
双月刊
ISSN:
1672-9374
CN:
61-1436/V
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1975-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
1764
总下载数(次)
0
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