Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究

• 作者: 孙小松 廖熙 杨治美 杨翰飞 龚敏
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 立方碳化硅 选择生长 掩蔽层 衍射峰位置 残余应力
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 121-125
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2011.01.021

摘要

采用一种新的LPCVD方法在Si村底上通过SiO2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理科学与技术学院四川省微电子重点实验室	109	372	10.0	12.0
2	孙小松	四川大学材料科学与技术学院	9	77	4.0	8.0
3	杨治美	四川大学物理科学与技术学院四川省微电子重点实验室	11	32	3.0	5.0
4	廖熙	四川大学物理科学与技术学院四川省微电子重点实验室	3	5	1.0	2.0
5	杨翰飞	四川大学物理科学与技术学院四川省微电子重点实验室	4	7	2.0	2.0