Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析

• 作者: 余明斌 王建农 胡宝宏 陈治明 雷天民 马剑平
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 外延 薄层 结构 光学常数
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 480-482
• 分类号: TN304.055|TN304.024
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.1999.04.020

摘要

采用热丝化学气相淀积生长法,在Si衬底上外延生长3C-SiC薄层获得成功.生成源为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为1800～2000℃,碳化和生长时衬底温度低于1000℃.用X射线衍射,变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数.X射线衍射结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,变角椭偏法测量出外延层的折射率为2.686,光学常数随深度变化曲线表明薄层结构分布与衬底晶向有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	余明斌	西安理工大学电子工程系	8	79	5.0	8.0
3	王建农	香港科技大学物理系	13	55	4.0	7.0
4	马剑平	西安理工大学电子工程系	19	114	7.0	10.0
5	雷天民	西安理工大学电子工程系	17	78	5.0	8.0
6	胡宝宏	香港科技大学物理系	4	31	2.0	4.0