硅基3C-SiC的热氧化机理

• 作者: 刘兴昉 孙国胜 李家业 李晋闽 王雷 罗木昌 赵万顺 赵永梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC 热氧化 XPS 氧化机理
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.021

摘要

采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
4	罗木昌	中国科学院半导体研究所	9	42	4.0	6.0
5	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
6	赵永梅	中国科学院半导体研究所	7	14	2.0	3.0
7	刘兴昉	中国科学院半导体研究所	8	28	2.0	5.0
8	李家业	中国科学院半导体研究所	3	3	1.0	1.0