硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制

• 作者: 卢刚 陈治明 雷天民 马剑平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 熔体 碳化硅 抑制
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 751-754
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.016

摘要

论述了从硅熔体中生长3C-SiC晶体过程中6H-SiC晶型控制的一般原理.采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成厚约0.2mm的SiC薄层.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Raman散射等分析表明所制备样品为3C-SiC多晶体.实验结果进一步证明从硅熔体中生长3C-SiC晶体过程中,通过适当调整工艺参数可以抑制6H-SiC晶型的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	马剑平	西安理工大学电子工程系	19	114	7.0	10.0
3	卢刚	西安理工大学电子工程系	16	38	3.0	5.0
4	雷天民	西安理工大学应用物理系	17	78	5.0	8.0