Ti掺杂6H-SiC电学性质研究

• 作者: 崔潆心 彭燕 徐现刚 杨昆 杨祥龙 胡小波 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 物理气相传输 Ti掺杂 6H-SiC 电阻率
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 733-737
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2369字
• 语种: 中文

摘要

使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010～1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	彭燕	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	23	4.0	4.0
4	杨昆	山东大学晶体材料国家重点实验室	6	20	3.0	4.0
5	崔潆心	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	18	3.0	4.0
6	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0
7	杨祥龙	山东大学晶体材料国家重点实验室	6	13	2.0	3.0