高压Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管

• 作者: 于芳 刘忠立 刘焕章 李国花 王姝睿
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SiC
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 962-966
• 页数: 5页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.002

摘要

在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性．反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压VR＝200V时，反向漏电流JR低于1×10－4A／cm2．采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘焕章	中国科学院半导体研究所	71	1282	19.0	34.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
3	于芳	中国科学院半导体研究所	28	112	6.0	9.0
4	李国花	中国科学院半导体研究所	5	26	4.0	5.0
5	王姝睿	中国科学院半导体研究所	7	52	5.0	7.0