4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型

• 作者: 常远程 张义门 张玉明
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒二极管 热电子发射 反向电流 隧道效应
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 467-471
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.04.013

摘要

在分析4H-SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析,提出了一种计算反向电流密度的理论模型.计算结果与实验数据的比较表明,隧道效应是反向电流的主要输运机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	常远程	西安电子科技大学微电子所	4	15	2.0	3.0