基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器

• 作者: 吴健 李勐 柏松 范晓强 荣茹 蒋勇 邹德慧 陈雨 韦建军
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 中子探测器 宽禁带半导体 4H-SiC
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 664-668
• 页数: 5页
• 分类号: TL816
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.04.0664

摘要

针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6Li(n,α)3H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器.利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6LiF膜厚.在10～600 V反向偏压下,漏电流维持在6.4 nA以下,表明探测器具备良好的半导体金属肖特基整流接触.利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5％.同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果.