4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析

• 作者: 王巍 王玉青 申君君
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-碳化硅 肖特基二极管 温度传感器
• 年，卷（期）: 2008,（z1）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN911
• 字数: 1719字
• 语种: 中文

摘要

在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型.通过对肖特基二极管的正向特性在300～500 K的温度范围内的电流-电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作,同时表明热电子发射是其主要运输机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电大学光电工程学院	72	264	9.0	10.0
2	王玉青	重庆邮电大学光电工程学院	9	17	3.0	3.0
3	申君君	重庆邮电大学光电工程学院	5	8	2.0	2.0