4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

• 作者: 吴健 范晓强 荣茹 蒋勇 陈雨 雷家荣
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 关键词: 电荷收集效率 半导体探测器 宽禁带半导体 4H碳化硅
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1793-1797
• 页数: 5页
• 字数: 2253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132507.1793

摘要

针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源α粒子的电荷收集效率.从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.99×1015/cm3.从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性.在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压.在反向偏压为0～350 V范围内研究了该探测器对3.5MeV α粒子电荷收集效率,在0V时为48.7％,在150 V时为99.4％,表明该探测器具有良好的电荷收集特性.