4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管

• 作者: 刘兴昉 孙国胜 宁瑾 攻全成 曾一平 李晋闽 王雷 高欣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 同质外延生长 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1006-1010
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 1083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008

摘要

利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20～265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ·cm2,与温度的关系遵守Ron～T2.0规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
4	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
5	宁瑾	中国科学院半导体研究所	13	44	4.0	6.0
6	高欣	中国科学院半导体研究所	46	202	9.0	12.0
7	刘兴昉	中国科学院半导体研究所	8	28	2.0	5.0
8	攻全成	中国科学院半导体研究所	1	6	1.0	1.0