高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展

• 作者: 范云
• 来源期刊: 科技创新与生产力
• 关键词: 半导体材料 高纯半绝缘 4H-SiC单晶 单晶生长
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 69-72
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4|O47|O78
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-9146.2019.05.069

摘要

阐述了高纯半绝缘4H-SiC单晶的研究历史,展望了未来高纯半绝缘4H-SiC衬底制备方法及SiC市场的发展方向,分别讨论了籽晶、 生长压强和温度场分布3种因素对于SiC单晶生长的影响,并提出了改进方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范云		2	2	1.0	1.0