4H-SiC MOSFET的温度特性研究

• 作者: 刘莉 徐昌发 杨银堂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC MOSFET
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1113-1117
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.05.035

摘要

对4H-SiC MOSFET的器件结构和温度特性进行了研究,总结了器件的结构参数对特性的影响,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系,模拟结果表明4H-SiC MOSFET具有优异的温度特性,在800K下可以正常工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	刘莉	西安电子科技大学微电子所	14	69	4.0	7.0
3	徐昌发	西安电子科技大学微电子所	3	21	2.0	3.0