4H-SiC npn BJT特性研究

• 作者: 张晓菊 张进城 郝跃 龚欣
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 物理模型 双极型晶体管
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 2201-2204
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.z1.062

摘要

基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型,为4H-SiC的工艺与器件提供了设计平台.在此基础上对4H-SiC BJT器件进行了模拟研究.结果显示,器件基极电流IB=1μA/μm时发射极电流增益β为32.4,击穿电压BVCEO大于800V,截止频率fT接近1GHZ.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	张晓菊	西安电子科技大学微电子所	11	35	4.0	5.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子所	52	301	9.0	14.0
4	龚欣	西安电子科技大学微电子所	7	19	2.0	4.0