平面结构4H-SiC BJT击穿特性及终端技术研究

• 作者: 王光 高寅生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 固态电子器件 击穿电压 器件模拟 终端扩展,浮空场限环
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 972-975
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.05.002

摘要

为提高4H-SiC双极晶体管(BJT)的耐高压能力,采用Sentaurus TCAD半导体器件模拟软件对采取结终端扩展(JTE)和浮空场限环(FFLRs)两种基本结终端结构的平面型器件的击穿特性和击穿机理进行了比较和分析,并在此基础上进行了器件结构优化设计.优化后的结终端结构相比于常规结终端结构能够更好地调制器件的表面电场,获得更高的击穿电压,器件最大击穿电压可达到3700V以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高寅生	西安文理学院信息工程学院	8	39	3.0	6.0
2	王光	西安文理学院信息工程学院	18	32	3.0	5.0