4H-SiC BJT的Early电压分析

• 作者: 李聪 杨银堂 贾护军 韩茹
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅双极晶体管 Early电压 共射极电流增益 温度
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1433-1437
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.021

摘要

通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时,Early电压VA随发射区掺杂浓度NE增大而增大,随集电区掺杂浓度Nc增大而减小,随基区宽度W增大而增大.SiC中杂质非完全离化会影响4H-SiC BJT的Early电压及电流增益的温度特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	韩茹	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	33	5.0	5.0
4	李聪	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	42	4.0	6.0