4H-SiC MESFET器件工艺

• 作者: 张涛 李哲洋 柏松 汪浩 蒋幼泉 陈刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 565-567
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.145

摘要

介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	19	61	5.0	7.0
2	蒋幼泉	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	34	192	9.0	11.0
3	李哲洋	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	11	71	5.0	8.0
4	柏松	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	20	83	6.0	8.0
5	张涛	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
6	汪浩	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	2	5	1.0	2.0