4H-SiC MESFET结构外延生长技术

• 作者: 李哲洋 柏松 董逊 陈刚 陈堂胜 陈辰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET SEM SIMS 汞探针C-V
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 379-381
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.096

摘要

利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	56	225	8.0	12.0
2	陈刚	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	19	61	5.0	7.0
3	李哲洋	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	11	71	5.0	8.0
4	柏松	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	20	83	6.0	8.0
5	董逊	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	9	39	3.0	6.0