水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜

• 作者: 孙国胜 张永兴 曾一平 李晋闽 王雷 赵万顺 高欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学气相沉积 原子力显微镜 Raman 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 936-940
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.017

摘要

采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所材料中心	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所材料中心	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所材料中心	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所材料中心	17	77	5.0	8.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
6	高欣	中国科学院半导体研究所材料中心	46	202	9.0	12.0
7	张永兴	兰州大学物理学院	2	19	2.0	2.0